如果含氮废水中的氮元素超标排入水体中，会导致水体黑臭、水华、赤潮等环境污染，因此，脱氮一直是水污染防治的重点和难点。

      在半导体芯片生产过程中，使用SC1（NH4OH+H2O2+H2O）清洗液是常见的操作，旨在清除半导体硅片表面的尘埃颗粒。然而，这一过程产生的氨氮废水浓度较高，其中氨氮主要以游离态氨和铵根离子的形式存在，含量通常在600～1000 ppm。

      目前，半导体行业主要采用吹脱法来处理这类氨氮废水。吹脱法需要在高温条件下将氨氮以氨气的形式从废水中吹脱出来，因此整个处理过程需要消耗大量的能源，运行成本较高。此外，风机的运行又给厂区带来了噪声污染，严重影响了厂区内正常的生产与办公。同时，吹脱法产生的硫酸铵废液也需要委外处理，处理费用高昂，不利于企业降本增效。

      针对上述问题，江苏中电创新环境科技有限公司率先将Bio-HiSA反应器（短程硝化/厌氧氨氧化）工艺应用于半导体行业的高氨氮废水处理当中。短程硝化/厌氧氨氧化反应器具备运行成本低、占地面积小、无固体废弃物等特点。

      这一技术的应用突破了传统吹脱法的限制，解决了产生二次废物的问题，实现了进一步降本增效，同时减少了温室气体的排放。此外，该技术还具有高效、节能、稳定等优点，是高浓度氨氮废水处理的最新科技成果，也是工业废水处理领域实现“双碳”目标的重要手段。

      ·短程硝化-厌氧氨氧化工艺（ SHARON –ANAMMOX）分别在两个反应器中实现部分硝化和厌氧氨氧化。

      ·短程硝化：短程硝化（SHARON）是在好氧条件下，通过氨氧化菌（AOB）以氧气为电子受体将氨氧化成亚硝酸盐的生物反应。

      ·厌氧氨氧化：厌氧氨氧化（ANAMMOX）是在缺氧或厌氧条件下，以氨作为电子供体将亚硝酸盐还原为氮气的生物反应。

      ·运行成本低：短程硝化/厌氧氨氧化反应器在整个脱氮过程中，仅需保持厌氧环境或者控制曝气保持低溶氧环境，极大的节省了曝气成本。此外，该工艺无需额外投加碳源，且可以减少45%碱度投加量，进一步降低了药剂成本。

      ·占地面积小：与传统的硝化/反硝化生物处理工艺相比，短程硝化/厌氧氨氧化反应器的容积负荷提高5~10倍，无需庞大的废水池，从而节约了占地面积，使得在半导体厂区布置更加灵活。

      ·无固体废弃物：短程硝化/厌氧氨氧化反应器几乎无污泥产出，与传统生物脱氮工艺相比，显著降低剩余污泥的处理和处置成本。与吹脱法相比，该工艺不产生硫酸铵废液，进一步降低了委外成本。

常规氨氮废水处理工艺的技术比较

      ·光伏行业高氨氮废水的高效处理。

      ·推荐集成电路行业高氨氮废水的处理。

      ·处理水质：NH3-N浓度约400~600mg/L

      ·出水水质：NH3-N浓度< 20 mg/L，TN浓度<50 mg/L

      ·去除率：氨氮 > 90%，TN约80%。

某半导体高浓度氨氮废水处理运行情况

某半导体厂短程硝化/厌氧氨氧化反应器及反应器内活性污泥

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